سامسونج تعلن عن انتقالها إلى الجيل التالي والأسرع من شرائح الذاكرة DDR5 الجديدة

وقالت أكبر شركة لتصنيع شرائح الذاكرة في العالم أنها طورت وحدات ذاكرة DDR5 (معدل بيانات مزدوج 5) بسعة تصل إلى 512 جيجابايت، وذلك بناء على عملية تصنيع البوابة المعدنية عالية الجودة (HKMG)، والتي تستخدم تقليديا في إنتاج وبناء الرقائق المنطقية.

شرائح ذاكرة DDR5 الجديدة

وبحسب ما قالته الشركة، ستكون شرائح ذاكرة DDR5 الجديدة أسرع بمرتين من شرائح DDR4 الحالية، مع تقليل التسرب وتقليل استهلاكها للطاقة بنسبة تصل إلى 13٪ مقارنة بالشرائح القديمة.

كما وتتوقع الشركة أنها ستبدأ بالانتقال إلى شرائح الذاكرة الجديدة من طراز DDR5 في النصف الثاني من العام الجاري.

وتجدر الإشارة إلى أن صناعة شرائح الذاكرة كانت تتوقع اعتماد معيار الذاكرة الجديد عما قريب ن في حين ستحصل على دعمها مع معالجات Xeon Scalable القادمة من إنتاج شركة إنتل، والتي ستحمل الاسم الرمزي Sapphire Rapids.

وبالإضافة إلى الشراكة مع اثنين من كبار موردي وحدات المعالجة المركزية، شركة إنتل وشركة أدفانسد ميكرو ديفايسز، أرسلت شركة ساميونج عينات من شرائح الذاكرة الجديدة الخاصة بها إلى مطوري منصات مراكز البيانات، وذلك بحسب ما قالته الشركة لوكالة بلومبرج للأنباء.

كما وقال المحللون أن شرائح الذاكرة الجديدة من طراز DDR5 ستكون أكبر بنحو 20٪ من شرائح DDR4، مما يؤدي إلى زيادة الضغط على سلاسل توريد أشباه الموصلات، حيث تعتزم شركة سامسونج بدء الشحنات هذا العام وتطوير عمليات التصنيع والتسعير تدريجياً، حيث أشارت الشركة أن التقاطع وعملية الانتقال النهائية بين شرائح الذاكرة من طرازي DDR4 وDDR5 سيحدث في النصف الثاني من عام 2023.

وقال أفريل وو نائب الرئيس في مركز تريند فورس الأمريكي للأبحاث: "مع ارتفاع معدل تغلغل شرائح الذاكرة الجديدة من طراز DDR5 تدريجياً، من المتوقع أن يستمر النقص في شرائح الذاكرة من طراز DRAM خلال عام 2022، كما أننا نتوقع أن نشهد ارتفاعاً في أسعارها وأسعار السلع ذات الصلة بنسبة تتراوح ما بين 30-40٪ في بداية الأمر".