إطلاق جيل جديد من ذاكرة فلاش 3D QLC بسرعة وكفاءة غير مسبوقتين

ذاكرة فلاش جديدة تحقق أعلى كثافة بيانات في العالم ( مصدر الصورة: شركتا Kioxia وSanDisk ) ذاكرة فلاش جديدة تحقق أعلى كثافة بيانات في العالم ( مصدر الصورة: شركتا Kioxia وSanDisk )

كشفت شركتا Kioxia اليابانية وSanDisk الأمريكية عن أحدث جيل من ذاكرة الفلاش ثلاثية الأبعاد 3D QLC NAND، والذي يحقق أعلى كثافة تخزين في العالم، إلى جانب تحسينات كبيرة في سرعة نقل البيانات وكفاءة استهلاك الطاقة. وجاء الإعلان خلال مؤتمر Future of Memory and Storage (FMS) الذي عقد في مدينة سانتا كلارا بولاية كاليفورنيا الأمريكية.

كما أعلنت الشركتان رسميا تمديد شراكتهما الاستراتيجية حتى عام 2034، في خطوة تعكس استمرار التعاون بينهما لتطوير تقنيات التخزين المستقبلية.

جيل عاشر بكثافة تخزين قياسية

ذاكرة الفلاش ثلاثية الأبعاد 3D QLC NAND ( مصدر الصورة: شركتا Kioxia وSanD )

قدمت الشركتان الجيل العاشر من ذاكرة 3D QLC NAND، والذي رفع كثافة تخزين البيانات بنسبة تقارب 60% مقارنة بالجيل السابق، لتتجاوز 37 جيجابت لكل مليمتر مربع، وهو رقم قياسي جديد في هذا المجال.

ويجمع هذا الجيل بين كثافة التخزين العالية والأداء الأسرع واستهلاك الطاقة الأقل، ما يجعله من أكثر حلول التخزين تطورا حتى الآن.

تصميم جديد يرفع سرعة نقل البيانات

اعتمد المهندسون على أسلوب تصنيع يفصل بين الدوائر المنطقية وخلايا الذاكرة، حيث يتم إنتاج كل منهما على رقاقة مستقلة، ثم دمجهما بدقة عالية في مرحلة لاحقة.

وساعد هذا التصميم في تحسين الأداء بشكل ملحوظ، لتصبح هذه أول ذاكرة من فئة QLC تحقق معدل نقل بيانات يصل إلى 4.8 جيجابت في الثانية، وهو إنجاز غير مسبوق لهذه الفئة من الذواكر.

زيادة عدد الطبقات وتحسين كفاءة الطاقة

شهد الجيل الجديد زيادة عدد طبقات الذاكرة من 218 طبقة إلى 332 طبقة، لكن المهندسين أوضحوا أن رفع عدد الطبقات وحده لم يكن كافيا لتحقيق الكثافة المطلوبة بسبب التحديات التقنية المرتبطة بتكديس الطبقات.

ولذلك، جرى أيضا تصغير حجم خلايا الذاكرة وتقليل المسافات الفاصلة بينها، ما أدى إلى زيادة كثافة البتات بنسبة تراوح بين 59 و60%.

كما نجح المطورون في خفض استهلاك الطاقة أثناء نقل البيانات من خلال دمج مقاومات حمل قابلة للتعطيل، وهو ما يحسن كفاءة التشغيل ويقلل استهلاك الكهرباء.

بدء الاختبارات والإنتاج في 2027

أكدت الشركتان أنه تم بالفعل إرسال أولى العينات من شرائح الذاكرة الجديدة إلى عدد من العملاء المحتملين لإجراء الاختبارات الفنية، على أن يبدأ الإنتاج التجاري الواسع خلال عام 2027.

ومن المتوقع أن تستخدم هذه الذواكر في أقراص SSD المخصصة للتعامل مع كميات ضخمة من البيانات، مثل مراكز البيانات، ومنصات التخزين السحابي، وأرشيفات الفيديو، وغيرها من التطبيقات التي تتطلب سعات تخزين كبيرة وأداء مرتفعا.